IPD25CNE8N G

产品描述

MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 35A

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规格书	IPx2xCNE8N G
文档	Multiple Devices 11/Dec/2009
产品更改通知	Product Discontinuation 11/Dec/2009
标准包装	2,500
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	85V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	35A
Rds（最大）@ ID，VGS	25 mOhm @ 35A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 39µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	31nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	2070pF @ 40V
功率 - 最大	71W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装	PG-TO252-3
包装材料	Tape & Reel (TR);;其他的名称；
产品种类	MOSFET
RoHS	RoHS Compliant
晶体管极性	N-Channel
漏源击穿电压	85 V
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	35 A
抗漏源极RDS （ ON）	0.025 Ohms
配置	Single
最高工作温度	+ 175 C
安装风格	SMD/SMT
封装/外壳	TO-252
封装	Reel
下降时间	3 ns
最低工作温度	- 55 C
功率耗散	71 W
上升时间	4 ns
典型关闭延迟时间	13 ns
零件号别名	IPD25CNE8NGXT
寿命	Obsolete
FET特点	Standard
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	35A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 39µA
漏极至源极电压（Vdss）	85V
标准包装	2,500
供应商设备封装	PG-TO252-3
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	25 mOhm @ 35A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	71W
输入电容（Ciss ） @ VDS	2070pF @ 40V
其他名称	SP000096457
闸电荷（Qg ） @ VGS	31nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

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